DF11MR12W1M1B11BOMA1

प्रतिमा संदर्भासाठी आहे, कृपया वास्तविक चित्र मिळविण्यासाठी आमच्याशी संपर्क साधा

निर्माता भाग	DF11MR12W1M1B11BOMA1
निर्माता	Rochester Electronics
वर्णन	IGBT MODULE
श्रेणी	स्वतंत्र सेमीकंडक्टर उत्पादने
कुटुंब	ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - अॅरे
जीवनचक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
पेमेंट	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
माहिती पत्रक	DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF

उपलब्धता

इनस्टॉक	83
युनिटची किंमत	$ 120.00000

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

DF11MR12W1M1B11BOMA1 तपशील

प्रकार	वर्णन
मालिका:	*
पॅकेज:	Bulk
भाग स्थिती:	Active
fet प्रकार:	2 N-Channel (Dual)
fet वैशिष्ट्य:	Silicon Carbide (SiC)
स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss):	1200V (1.2kV)
वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c:	50A
rds वर (कमाल) @ id, vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (कमाल) @ आयडी:	5.5V @ 20mA
गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs:	125nC @ 5V
इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds:	3950pF @ 800V
शक्ती - कमाल:	20mW
कार्यशील तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार:	Chassis Mount
पॅकेज / केस:	Module
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.