BSC009NE2LSATMA1

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निर्माता भाग	BSC009NE2LSATMA1
निर्माता	IR (Infineon Technologies)
वर्णन	MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
श्रेणी	स्वतंत्र सेमीकंडक्टर उत्पादने
कुटुंब	ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
जीवनचक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
पेमेंट	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
माहिती पत्रक	BSC009NE2LSATMA1 PDF

उपलब्धता

इनस्टॉक	3,332
युनिटची किंमत	$ 1.79000

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BSC009NE2LSATMA1 तपशील

प्रकार	वर्णन
मालिका:	OptiMOS™
पॅकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग स्थिती:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
तंत्रज्ञान:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss):	25 V
वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c:	41A (Ta), 100A (Tc)
ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
rds वर (कमाल) @ id, vgs:	0.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (कमाल) @ आयडी:	2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs:	126 nC @ 10 V
vgs (कमाल):	±20V
इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds:	5800 pF @ 12 V
fet वैशिष्ट्य:	-
शक्ती अपव्यय (कमाल):	2.5W (Ta), 96W (Tc)
कार्यशील तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार:	Surface Mount
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज:	PG-TDSON-8-7
पॅकेज / केस:	8-PowerTDFN

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