IRF7832PBF

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निर्माता भाग	IRF7832PBF
निर्माता	IR (Infineon Technologies)
वर्णन	HEXFET POWER MOSFET
श्रेणी	स्वतंत्र सेमीकंडक्टर उत्पादने
कुटुंब	ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
जीवनचक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
पेमेंट	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
माहिती पत्रक	IRF7832PBF PDF

उपलब्धता

इनस्टॉक	1,865,250
युनिटची किंमत	$ 0.37000

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IRF7832PBF तपशील

प्रकार	वर्णन
मालिका:	HEXFET®
पॅकेज:	Bulk
भाग स्थिती:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
तंत्रज्ञान:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss):	30 V
वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c:	20A (Ta)
ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
rds वर (कमाल) @ id, vgs:	4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (कमाल) @ आयडी:	2.32V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs:	51 nC @ 4.5 V
vgs (कमाल):	±20V
इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds:	4.31 pF @ 15 V
fet वैशिष्ट्य:	-
शक्ती अपव्यय (कमाल):	2.5W (Ta)
कार्यशील तापमान:	-55°C ~ 155°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार:	Surface Mount
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज:	8-SO
पॅकेज / केस:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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