RQ3E180AJTB

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निर्माता भाग	RQ3E180AJTB
निर्माता	ROHM Semiconductor
वर्णन	MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
श्रेणी	स्वतंत्र सेमीकंडक्टर उत्पादने
कुटुंब	ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
जीवनचक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
पेमेंट	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
माहिती पत्रक	RQ3E180AJTB PDF

उपलब्धता

इनस्टॉक	3,000
युनिटची किंमत	$ 1.05000

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RQ3E180AJTB तपशील

प्रकार	वर्णन
मालिका:	-
पॅकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग स्थिती:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
तंत्रज्ञान:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss):	30 V
वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c:	18A (Ta), 30A (Tc)
ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू):	2.5V, 4.5V
rds वर (कमाल) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (कमाल) @ आयडी:	1.5V @ 11mA
गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs:	39 nC @ 4.5 V
vgs (कमाल):	±12V
इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds:	4290 pF @ 15 V
fet वैशिष्ट्य:	-
शक्ती अपव्यय (कमाल):	2W (Ta), 30W (Tc)
कार्यशील तापमान:	150°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार:	Surface Mount
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज:	8-HSMT (3.2x3)
पॅकेज / केस:	8-PowerVDFN

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