IPG20N06S2L35AATMA1

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निर्माता भाग	IPG20N06S2L35AATMA1
निर्माता	IR (Infineon Technologies)
वर्णन	MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON
श्रेणी	स्वतंत्र सेमीकंडक्टर उत्पादने
कुटुंब	ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - अॅरे
जीवनचक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
पेमेंट	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
माहिती पत्रक	IPG20N06S2L35AATMA1 PDF

उपलब्धता

इनस्टॉक	14,333
युनिटची किंमत	$ 1.28000

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IPG20N06S2L35AATMA1 तपशील

प्रकार	वर्णन
मालिका:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
पॅकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग स्थिती:	Active
fet प्रकार:	2 N-Channel (Dual)
fet वैशिष्ट्य:	Logic Level Gate
स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss):	55V
वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c:	2A (Tc)
rds वर (कमाल) @ id, vgs:	35mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (कमाल) @ आयडी:	2V @ 27µA
गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs:	23nC @ 10V
इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds:	790pF @ 25V
शक्ती - कमाल:	65W
कार्यशील तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार:	Surface Mount, Wettable Flank
पॅकेज / केस:	8-PowerVDFN
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज:	PG-TDSON-8-10

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