IPD15N06S2L64ATMA2

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निर्माता भाग	IPD15N06S2L64ATMA2
निर्माता	IR (Infineon Technologies)
वर्णन	MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
श्रेणी	स्वतंत्र सेमीकंडक्टर उत्पादने
कुटुंब	ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
जीवनचक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
पेमेंट	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
माहिती पत्रक	IPD15N06S2L64ATMA2 PDF

उपलब्धता

इनस्टॉक	1,352
युनिटची किंमत	$ 0.81000

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IPD15N06S2L64ATMA2 तपशील

प्रकार	वर्णन
मालिका:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
पॅकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग स्थिती:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
तंत्रज्ञान:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss):	55 V
वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c:	19A (Tc)
ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
rds वर (कमाल) @ id, vgs:	64mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (कमाल) @ आयडी:	2V @ 14µA
गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs:	13 nC @ 10 V
vgs (कमाल):	±20V
इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds:	354 pF @ 25 V
fet वैशिष्ट्य:	-
शक्ती अपव्यय (कमाल):	47W (Tc)
कार्यशील तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार:	Surface Mount
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज:	PG-TO252-3-11
पॅकेज / केस:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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