SIE810DF-T1-E3

प्रतिमा संदर्भासाठी आहे, कृपया वास्तविक चित्र मिळविण्यासाठी आमच्याशी संपर्क साधा

निर्माता भाग	SIE810DF-T1-E3
निर्माता	Vishay / Siliconix
वर्णन	MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
श्रेणी	स्वतंत्र सेमीकंडक्टर उत्पादने
कुटुंब	ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
जीवनचक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
पेमेंट	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
माहिती पत्रक	SIE810DF-T1-E3 PDF

उपलब्धता

इनस्टॉक	3,000
युनिटची किंमत	$ 3.61000

SIE810DF-T1-E3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SIE810DF-T1-E3 तपशील

प्रकार	वर्णन
मालिका:	TrenchFET®
पॅकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग स्थिती:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
तंत्रज्ञान:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss):	20 V
वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c:	60A (Tc)
ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू):	2.5V, 10V
rds वर (कमाल) @ id, vgs:	1.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (कमाल) @ आयडी:	2V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs:	300 nC @ 10 V
vgs (कमाल):	±12V
इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds:	13000 pF @ 10 V
fet वैशिष्ट्य:	-
शक्ती अपव्यय (कमाल):	5.2W (Ta), 125W (Tc)
कार्यशील तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार:	Surface Mount
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज:	10-PolarPAK® (L)
पॅकेज / केस:	10-PolarPAK® (L)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.