SISS52DN-T1-GE3

प्रतिमा संदर्भासाठी आहे, कृपया वास्तविक चित्र मिळविण्यासाठी आमच्याशी संपर्क साधा

निर्माता भाग	SISS52DN-T1-GE3
निर्माता	Vishay / Siliconix
वर्णन	MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
श्रेणी	स्वतंत्र सेमीकंडक्टर उत्पादने
कुटुंब	ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
जीवनचक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
पेमेंट	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

उपलब्धता

इनस्टॉक	15,050
युनिटची किंमत	$ 1.11000

SISS52DN-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SISS52DN-T1-GE3 तपशील

प्रकार	वर्णन
मालिका:	TrenchFET® Gen V
पॅकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग स्थिती:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
तंत्रज्ञान:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss):	30 V
वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c:	47.1A (Ta), 162A (Tc)
ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
rds वर (कमाल) @ id, vgs:	1.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (कमाल) @ आयडी:	2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs:	65 nC @ 10 V
vgs (कमाल):	+16V, -12V
इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds:	2950 pF @ 15 V
fet वैशिष्ट्य:	-
शक्ती अपव्यय (कमाल):	4.8W (Ta), 57W (Tc)
कार्यशील तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार:	Surface Mount
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज:	PowerPAK® 1212-8SH
पॅकेज / केस:	PowerPAK® 1212-8SH

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.