SQM35N30-97_GE3

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निर्माता भाग	SQM35N30-97_GE3
निर्माता	Vishay / Siliconix
वर्णन	MOSFET N-CH 300V 35A TO263
श्रेणी	स्वतंत्र सेमीकंडक्टर उत्पादने
कुटुंब	ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
जीवनचक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
पेमेंट	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
माहिती पत्रक	SQM35N30-97_GE3 PDF

उपलब्धता

इनस्टॉक	210
युनिटची किंमत	$ 3.32000

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SQM35N30-97_GE3 तपशील

प्रकार	वर्णन
मालिका:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
पॅकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग स्थिती:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
तंत्रज्ञान:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss):	300 V
वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c:	35A (Tc)
ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू):	10V
rds वर (कमाल) @ id, vgs:	97mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (कमाल) @ आयडी:	3.5V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs:	130 nC @ 10 V
vgs (कमाल):	±20V
इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds:	5650 pF @ 25 V
fet वैशिष्ट्य:	-
शक्ती अपव्यय (कमाल):	375W (Tc)
कार्यशील तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार:	Surface Mount
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज:	TO-263 (D²Pak)
पॅकेज / केस:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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