SCTW35N65G2V

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निर्माता भाग	SCTW35N65G2V
निर्माता	STMicroelectronics
वर्णन	SICFET N-CH 650V 45A HIP247
श्रेणी	स्वतंत्र सेमीकंडक्टर उत्पादने
कुटुंब	ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
जीवनचक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
पेमेंट	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
माहिती पत्रक	SCTW35N65G2V PDF

उपलब्धता

इनस्टॉक	328
युनिटची किंमत	$ 13.98000

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SCTW35N65G2V तपशील

प्रकार	वर्णन
मालिका:	Automotive, AEC-Q101
पॅकेज:	Tube
भाग स्थिती:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
तंत्रज्ञान:	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss):	650 V
वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c:	45A (Tc)
ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू):	18V, 20V
rds वर (कमाल) @ id, vgs:	67mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (कमाल) @ आयडी:	5V @ 1mA
गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs:	73 nC @ 20 V
vgs (कमाल):	+22V, -10V
इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds:	1370 pF @ 400 V
fet वैशिष्ट्य:	-
शक्ती अपव्यय (कमाल):	240W (Tc)
कार्यशील तापमान:	-55°C ~ 200°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार:	Through Hole
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज:	HiP247™
पॅकेज / केस:	TO-247-3

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