IPB180N03S4L01ATMA1

प्रतिमा संदर्भासाठी आहे, कृपया वास्तविक चित्र मिळविण्यासाठी आमच्याशी संपर्क साधा

निर्माता भाग	IPB180N03S4L01ATMA1
निर्माता	Rochester Electronics
वर्णन	MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
श्रेणी	स्वतंत्र सेमीकंडक्टर उत्पादने
कुटुंब	ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
जीवनचक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
पेमेंट	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
माहिती पत्रक	IPB180N03S4L01ATMA1 PDF

उपलब्धता

इनस्टॉक	1,856
युनिटची किंमत	$ 1.14000

IPB180N03S4L01ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IPB180N03S4L01ATMA1 तपशील

प्रकार	वर्णन
मालिका:	OptiMOS™
पॅकेज:	Bulk
भाग स्थिती:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
तंत्रज्ञान:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss):	30 V
वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c:	180A (Tc)
ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
rds वर (कमाल) @ id, vgs:	1.05mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (कमाल) @ आयडी:	2.2V @ 140µA
गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs:	239 nC @ 10 V
vgs (कमाल):	±16V
इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds:	17.6 pF @ 25 V
fet वैशिष्ट्य:	-
शक्ती अपव्यय (कमाल):	188W (Tc)
कार्यशील तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार:	Surface Mount
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज:	PG-TO263-7-3
पॅकेज / केस:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.