IPB50CN10NGATMA1

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निर्माता भाग	IPB50CN10NGATMA1
निर्माता	Rochester Electronics
वर्णन	MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
श्रेणी	स्वतंत्र सेमीकंडक्टर उत्पादने
कुटुंब	ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
जीवनचक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
पेमेंट	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
माहिती पत्रक	IPB50CN10NGATMA1 PDF

उपलब्धता

इनस्टॉक	3,000
युनिटची किंमत	$ 0.52000

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IPB50CN10NGATMA1 तपशील

प्रकार	वर्णन
मालिका:	OptiMOS™
पॅकेज:	Bulk
भाग स्थिती:	Obsolete
fet प्रकार:	N-Channel
तंत्रज्ञान:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss):	100 V
वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c:	20A (Tc)
ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू):	10V
rds वर (कमाल) @ id, vgs:	50mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (कमाल) @ आयडी:	4V @ 20µA
गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vgs (कमाल):	±20V
इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds:	1.09 pF @ 50 V
fet वैशिष्ट्य:	-
शक्ती अपव्यय (कमाल):	44W (Tc)
कार्यशील तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार:	Surface Mount
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज:	PG-TO263-3-2
पॅकेज / केस:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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